Características

Especificações CL(IDD): 11 ciclos; Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.); Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.); Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.); Consumo de energia :2.376 W*; UL Rating: 94 V - 0; Temperatura de Operação: 0oC a 85oC; Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC; *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. Caracteristicas Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V); VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V); 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin; 8 bancos internos independentes; Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6; Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock; 8-bit pre-fetch; Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]; Data Strobe Diferencial bi-direcional; Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%); Terminação no Die usando o pino ODT; Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C; Reset assíncrono; PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados;